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      產(chǎn)品詳情
      • 產(chǎn)品名稱:集成電路(IC)SKM600GAL12T4賽米控丹佛斯IGBT模塊

      • 產(chǎn)品型號:skm600gal12t4
      • 產(chǎn)品廠商:SEMIKRON
      • 產(chǎn)品價格:0
      • 折扣價格:0
      • 產(chǎn)品文檔:
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      簡單介紹:
      集成電路(IC)SKM600GAL12T4賽米控丹佛斯IGBT模塊,賽米控丹佛斯提供SEMITRANS、SEMiX、SKiM、MiniSKiiP和SEMITOP封裝形式的IGBT模塊,支持不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、額定電流和電壓。這些IGBT模塊的電流范圍為4A至1400A,電壓級別為600V至1800V。提供不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),提供不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如CIB(整流-逆變-制動)、半橋、H橋、三相全橋和三電平等,涵
      詳情介紹:

      集成電路(IC)SKM600GAL12T4賽米控IGBT模塊


      IGBT Modules
      SEMITRANS 3 (106x62x31)
      Part Number 22892280
      Product Status In production new
      Housing SEMITRANS 3 (106x62x31)
      (LLxBBxHH) 106x62x31
      Switches Single Switch
      VCES in V 1200
      ICnom in A 600
      Technology IGBT 4 Fast (Trench)


      SEMITRANS® 經(jīng)典系列 – 25kW至500kW
      SEMITRANS經(jīng)典系列是一種穩(wěn)健的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝,配備銅底板和螺絲安裝功率端子。SEMITRANS經(jīng)典系列封裝采用低電感設(shè)計,可用于25kW至500kW的逆變器。通過多渠道采購的IGBT芯片以及CAL 二極管,SiC模塊有帶或不帶混合SiC續(xù)流二極管的全SiC模塊和帶IGBT和SiC續(xù)流二極管的混合型SiC模塊。這些模塊的規(guī)格可達(dá)到900A和1700V。憑借超過25年的市場經(jīng)驗,SEMITRANS封裝 提供成熟可靠、久經(jīng)考驗的標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計。

      SEMITRANS® 經(jīng)典系列 的優(yōu)點
      強壯的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝
      多IGBT芯片源
      可提供SiC MOSFET和混合SiC模塊
      豐富的產(chǎn)品系列


      SEMITRANS®經(jīng)典系列關(guān)鍵特性
      提供600V、650V、1200V和1700V電壓級別,電流從25A到900A的IGBT 模塊
      可提供1200V和1700V 電流從200A到500A的碳化硅模塊
      半橋、單開關(guān)、斬波器、多電平、三相全橋和共發(fā)射極拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
      采用DBC技術(shù)實現(xiàn)銅地板絕緣 某一些碳化硅模塊是AIN AMB
      高絕緣電壓

      SEMITRANS® 經(jīng)典系列 應(yīng)用
      這種久經(jīng)考驗的封裝設(shè)計可用于廣泛的應(yīng)用,如能量回饋型逆變器 和電源。 超長的使用壽命契合嚴(yán)苛 應(yīng)用。

      SEMITRANS® 經(jīng)典系列 產(chǎn)品范圍
      SEMITRANS經(jīng)典系列提供豐富的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和功率范圍。可供選擇 的標(biāo)準(zhǔn)電壓級別涵蓋600V到1700V。額定電流范圍為50A到 900A。SEMITRANS封裝具有半橋、斬波器、單開關(guān)、多電平、和共發(fā)射極拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

      廣泛的產(chǎn)品系
      50A - 900A,5種外殼尺寸,提供多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
      契合任何應(yīng)用

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